【专利】高功率LED发光二极管 APT3216QBC/D APT3216SYCK 贴片
发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成，半导体发光器件包括半导体发光二极管、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等，事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
发光二极管原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用普遍。发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成，半导体发光器件包括半导体发光二极管、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等，事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
深圳宏芯光电子（台湾光宝liteon旗舰店）
今台发光二极管系列型号
KP-2012P01-SZ
KP-2012P04-SZ
KP-2012LCGCK
KP-2012FGCK
KP-2012P08-SZ
KP-2012P09-SZ
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